C’est en présence du Chancelier allemand Gerhard Schroeder qu’American Micro Devices a entrouvert les portes de ses laboratoires européens de Dresden. Le docteur Michael Raab, directeur des technologies d’AMD, a évoqué les développements en cours chez le fondeur.
Parmi les sujets évoqués, l’Opteron et l’Athlon 64, bien entendu, mais aussi couche de cuivre et faible K, les ponts modelant en polysilicium, ainsi que les limites de la photolithographie. Des effets de diffraction entraînent des défauts sur l’exposition, dont la difficulté provient principalement de leur détection.
90, 65, 45 et 32 nano?
L’unité Fab 30 fabrique des tranches de SOI (silicium on insulator) pour l’Opteron 90 nanomètres. Ce dernier devrait rapidement voir sa mémoire cache L2 élargie (actuellement 1Mo). Fab 36 devrait prochainement produire des composants en 65 nanos.
AMD projette la mise en production, à Dresden et à partir de 2006, des trois prochaines générations technologiques, 65 nanos, 45 nanos et 32 nanos, même si cette dernière devrait rester problématique jusqu’en 2009/2010. Pour Michael Raab, l’avenir au-delà des 45 nanos est loin d’être clair.
La vitesse n’est plus la priorité
Pour AMD, comme pour Intel, la course à la vitesse doit céder le pas à la multiplication des fonctionnalités. Mémoire cache, c’est dit, mais aussi multiplication des contrôleurs directement sur le ‘chip’, ainsi que le support de la mémoire DDR-3.
AMD travaille activement avec le chimiste DuPont afin d’apporter des solutions à ses limites, mais les projets du fondeur – K GOX, EPI sélectif et S/D – ne sont pas annoncés pour demain. Même si elle a été énoncée par le fondateur d’Intel, la loi de Moore a encore droit de cité chez AMD !
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