Depuis l’arrivée de la technologie flash, mémoire de stockage non volatile mais moins performante que la SDRAM (volatile, elle dès qu’elle n’est plus alimenté énergétiquement), les technologies n’ont pas beaucoup évolué. Mais de nouvelles générations de mémoire devraient prochainement sortir des laboratoires. Notamment chez HP qui finalise son projet à base de technologie Memristor. Ce dispositif hybride, dont la sortie est prévue pour 2013, serait plus performant que la mémoire flash actuelle et aussi rapide que de la DRAM.
Futur concurrent du flash SSD
Memristor (ou Memristance) s’appuie sur un composant électronique passif qui stocke l’information selon la valeur de sa résistance électrique. A la racine, l’implémentation de microfilms conducteurs qui permettent de superposer jusqu’à 500 milliards de ces « memristors » sur chaque couche de 5 nanomètres d’épaisseur. Décrit en 1971 par Leon Chua de UC Berkeley, la Memristor a connu sa première implémentation physique en 2008 dans les laboratoires de HP qui a signé, en 2010, un accord de développement avec Hynix, producteurs de composants mémoire, rapporte ITespresso.fr.
Memristor pourrait ouvrir un nouveau marché en venant concurrencer directement la technologie flash (au risque de signer l’arrêt de mort des SSD et autres cartes de stockage) d’autant que la consommation énergétique de la nouvelle génération de mémoire s’en trouve réduite (et participer ainsi à l’extension de l’autonomie des appareils mobiles). Et les performances de Memristor pourrait même lui permettre de se placer en alternative à la bonne vieille SRAM. Réponse en 2013?
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