Des SSD d’une capacité de 10 To, une utopie ? Pas vraiment si l’on en croit Rob Crooke, vice-président en charge du groupe des mémoires non volatiles chez Intel. Ce dernier précise que cette capacité devrait arriver d’ici 2 ans. Il envisage même des puces de 1 To de stockage pour les smartphones. Pour aboutir à ce résultat, Intel s’appuie sur la technologie flash 3D NAND qui a été développée conjointement avec Micron au sein d’une entreprise commune, IMFT (Intel Micron Flash Technologies).
Jusqu’à présent, les mémoires flash étaient dites planaires car gravées sur une seule épaisseur (plusieurs couches mais un point mémoire par épaisseur). Avec la 3D NAND, les différents fabricants de mémoires empruntent la voie de la troisième dimension où plusieurs niveaux de points mémoire sont superposés. Samsung a été un des premiers à se pencher sur la question (comme nous l’indiquions dans cet article). D’autres constructeurs sont entrés en compétition sur ce sujet comme Hynix et SanDisk.
Rob Crooke a donné quelques détails techniques sur la technologie déployée par l’entreprise commune. Le die comprendra 32 couches planaires, reliés par 4 milliards de piliers d’interconnexion. Un seul die MLC pourra stocker jusqu’ à 256 Gbits (32 Go) en mode MLC (2 bits par cellules), mais il sera possible de pousser jusqu’à 348 Gbits (40 Go) en mode TLC (3 bits par cellules), selon nos confrères de TechReport.
Pour comparaison, la 3D V-NAND de Samsung ne propose qu’une puce 128 Gbits (16 Go) pour des SSD orientés serveurs. Le processus géométrique adopté n’a pas été détaillé par le dirigeant américain. Il faudra attendre le premier semestre 2015 pour voir apparaître les premiers produits Intel sur le marché. Nul doute qu’avec la concurrence, le marché du SSD va être bouleversé l’année prochaine.
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