La fin des mémoires Flash pour 2010?

La mémoire Flash vit-elle ses dernières années? Cette technologie de stockage est actuellement utilisée dans les téléphones mobiles, les baladeurs MP3, les appareils photo numériques ou les PDA. Mais selon deux géants de l’électronique japonais, NEC et Toshiba, ce type de mémoire sera supplanté par la MRAM.

Les deux groupes, qui travaillent sur cette technologie depuis quelques années, estiment que la mémoire MRAM sera disponible en 2006 et remplacera la mémoire Flash en 2010. La mémoire MRAM, pour Magnetic Random Access Memory utilise des charges magnétiques pour stocker les informations. Grâce à une nouvelle conception, la consommation électrique des futures mémoires MRAM est réduite de 50% au moment de la lecture et de l’écriture des données, un facteur particulièrement important avec des applications nomades de plus en plus gourmandes. Ce nouveau type de mémoire permet en outre d’augmenter la vitesse des transferts de données tout en réduisant le taux d’erreur d’écriture. Il permet enfin de conserver sans limite temporelle les informations en l’absence d’alimentation électrique. Le développement de ces technologies a été initié par le NEDO (organisation pour le développement des nouvelles énergies et technologies industrielles), structure publique financée par le ministère de l’industrie japonais (METI). Samsung investira 641 millions de dollars dans les mémoires Flash

En attendant 2010, le secteur des mémoires Flash a encore de beaux jours devant lui. Samsung Electronics, premier fabricant mondial de mémoires, a ainsi annoncé qu’il investira 679,8 milliards de wons (641,3 millions de dollars) dans une nouvelle ligne d’assemblage de mémoires flash. Dans un communiqué, le groupe sud-coréen précise que son investissement vise à répondre à la hausse de la demande pour ces puces utilisées dans les téléphones portables équipés d’appareils photo, les appareils photo numériques et d’autres appareils électroniques portables.