Mémoire : un module de 32 Go de DDR3 chez Samsung

Samsung a annoncé, le 17 juin, avoir mis au point la première barrette mémoire DDR3 d’une capacité de 32 Go de données sur le marché. Contre 8 Go actuellement. Les modules mémoire de 4 Gb qui la compose bénéficient de la technologie de gravure en 50 nanomètres (nm) avec une consommation réduite de 1,35 volt contre 1,5 jusqu’à présent.

Le produit se destine au marché des serveurs et vise, de par sa consommation réduite en regard d’une densité de mémoire plus élevée, à optimiser les besoins énergétiques. « Comparés aux barrettes mémoire de 8 Go actuellement utilisés dans les serveurs, notre nouveau module fait un bond éco-sensitif à travers une densité quatre fois plus importante à des niveaux de consommation énergétique réduits et aucune augmentation globale de l’empreinte globale », déclare Jim Elliott, vice président, et responsable marketing mémoire chez Samsung Semiconductor. « Pour les centres de données, c’est une source d’optimisation de l’énergie et de performances. »

Les barrettes Samsung au format RDIMM sont composées de 72 modules de 4 Gbits montés par blocs de 4 (soit 16 Gbits par bloc) à raison de 9 blocs sur chaque face de la carte du circuit imprimé. La nouvelle barrette mémoire de Samsung, dont le prix n’est pas encore précisé, participera à l’expansion de la DDR3 sur le marché. Selon IDC, la DDR3 devrait compter pour 29 % du marché total de la mémoire DRAM puis 57 % en 2010. En 2012, la DDR3 composera l’essentiel du marché ave 80 % des composants mémoire.