Quand Infineon décide d’investir, il n’y va pas avec le dos de la cuiller. Le fabricant de semi-conducteurs allemand va investir un milliard d’euros pour augmenter la capacité de production de son usine de Richmond, aux Etats-Unis.
Le groupe prévoit d’installer des dispositifs permettant de fabriquer des mémoires dynamiques DRAM sur des tranches de silicium de 300 mm. Ces dispositifs permettront à l’usine de plus que doubler sa capacité à partir de début 2005. La technologie 300 mm, qui succède à l’utilisation de tranches de 200 mm, permettra de nettement augmenter la productivité et réduire les coûts. Le nombre de salariés de l’usine devrait parallèlement augmenter à 2.550 personnes, contre 1.750 actuellement.
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