Annoncé mi-novembre, le nouveau processeur mobile de haut de gamme de Qualcomm promet de faire des étincelles (voir à ce propos « 10 nm et charge rapide : Qualcomm renouvelle ses gammes »). C’est toutefois au compte-goutte que la firme livre les spécifications de son Snapdragon 835.
Un premier test du Qualcomm 835 a été publié sur GFXBench, avant d’être retiré du site. La carte « Qualcomm Adreno 540 development board » est visiblement relative au nouveau haut de gamme de la société.
La partie CPU se compose de huit cœurs ARM 64 bits cadencés à 2,2 GHz. Qualcomm aurait donc opté pour un doublement du nombre de cœurs disponibles, mais avec une cadence maximale inchangée. Un choix sensé, mais qui ne permettra pas de booster la puissance par thread du composant.
La partie graphique sera assurée par un GPU Adreno 540. Côté mémoire, le support de la LPDDR4 à 1866 MHz est évoqué… comme sur le Snapdragon 821.
GFXBench fait état de très bons résultats, les meilleurs du marché. Des scores confirmés par AnTuTu, où le Snapdragon 835 décroche un score de 181.434 points, soit bien plus que les 172.000 points de l’A10 Fusion.
Il est à noter toutefois que l’offre d’Apple ne comprend que 4 cœurs, dont seulement 2 de hautes performances. Elle devrait donc conserver une très large avance en matière de performance par thread.
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