Le processeur des futurs smartphones Galaxy S8 et S8 Plus est maintenant officiellement lancé par Samsung. L’Exynos 8895 est une solution de très haut de gamme, gravée en 10 nm FinFET. Cette finesse de gravure permet de réduire les besoins en énergie de 40 % par rapport au 14 nm utilisé l’année passée sur le 8890.
Ce composant mobile extrême intègre quatre cœurs ARM de hautes performances (de seconde génération) signés Samsung, associés à quatre cœurs Cortex-A53. Ce couple permet d’offrir des performances 27 % supérieures à la génération précédente. Nous n’en saurons pas plus pour le moment de ce côté.
La partie graphique est un ARM Mali-G71 MP20, qui se veut 1,8 fois plus véloce que précédemment. Le support de la 4K est bien évidemment de la partie, tout comme celui de capteurs photo à très haute résolution. Il sera ainsi possible de proposer des smartphones à double capteur arrière de 28+16 mégapixels.
La 4G en Gigabit est proposée au sein de ce composant. Le support LTE Catégorie 16 permettra d’offrir des débits allant jusqu’à 1 Gb/s.
Le Snapdragon 835 de Qualcomm, lui aussi gravé en 10 nm FinFET, vient donc de se trouver un concurrent de taille. Les concepteurs de puces ARM montrent également par la même occasion leur savoir-faire technologique. De fait, Intel comme AMD restent aujourd’hui bloqués au 14 nm.
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