Récemment, Samsung annonçait avoir développé une puce DRAM LPDDR4 (Low Power Double data rate 4) d’une capacité de 8 Gb, soit 1 Go.
Le groupe sud-coréen n’est pas le seul dans ce domaine puisque c’est au tour de SK Hynix d’annoncer également avoir développé une puce LPDDR4 de 8 Gb.
La puce est gravée dans la technologie classe 20 nm (finesse de gravure effective comprise entre 20 et 29 nm).
Elle succède aux puces de 6 Gb et 8 Gb LPDDR3 du constructeur.
Tout comme la puce de Samsung, elle se caractérise par une vitesse de transfert de 3 200 Mb/s. C’est deux fois plus que la LPDDR3 disposant d’une bande passante plafonnant à 1 600 Mb/s.
Ce bond en termes de performances va se doubler d’une consommation d’énergie revue à la baisse (la puce est sous une tension d’alimentation de 1,1 volt contre 1,2 volt pour la LPDDR3).
Le constructeur va ainsi pouvoir rapidement proposer des boîtiers multi-chip (c’est-à-dire intégrant plusieurs puces superposées l’une sur l’autre) de DRAM LPDDR4 offrant des capacités de 2 Go (2 puces de 8 Gb), 3 Go (3 puces de 8 Gb) et même 4 Go (4 puces de 8 Gb).
Cette transition vers la LPDDR4 va accompagner le passage à des processeurs plus performants mais aussi à architecture 64 bits.
A n’en pas douter, 2014 devrait voir les performances des terminaux mobiles croître de manière substantielle grâce à de nouveaux composants électroniques introduisant les architectures 64 bits (Cortex-A50) pour les processeurs, de la mémoire flash plus dense et véloce mais aussi donc de la DRAM LPDDR4 (également plus dense et plus véloce) . Si ces appareils vont devenir ultra performants, leur consommation électrique va également baisser.
La puce de SK Hynix est d’ores et déjà disponible sous forme d’échantillons. Sa production de masse devrait débuter au second semestre 2014 et se retrouver embarquée dans des terminaux mobiles haut de gamme d’ici la fin de l’année.
Crédit photo @SK Hynix
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