Dans le cadre du CES 2013, ST-Ericsson a levé le voile sur sa dernière puce ARM, le NovaThor L8580 (voir « ST-Ericsson pousse ses puces ARM à 2,5 GHz »).
La technologie de gravure en 28 nm FD-SOI, utilisée pour la première fois, permet de proposer un composant original, dont les transistors peuvent prendre deux états : faible voltage (1 GHz à 0,636 V) ou hautes-performances (2,5 GHz).
Il semblerait que la société ait pas mal de réserve sous le pied. Ainsi, STMicroelectronics, qui est à l’origine du 28 nm FD-SOI, indique pouvoir passer le cap des 3 GHz avec cette technologie. Le tout avec une efficacité énergétique comparable, voire supérieure, aux autres produits.
« Comme nous l’avons envisagé, la technologie FD-SOI a démontré sa capacité à allier vitesse, simplicité et faible dégagement de chaleur », explique Jean-Marc Chery, vice-président exécutif, Chief Manufacturing & Technology Officer et directeur général du secteur numérique de ST.
« Nous avions tablé sur une fréquence de cadencement atteignant 3 GHz, et l’approche de conception adoptée correspond tout à fait à ce que faisions avec la technologie CMOS massif. De plus, grâce aux avantages des canaux entièrement déplétés et de la technique de polarisation “back-bias”, les exigences de basse consommation répondent également à nos attentes. »
Une avancée dont la société espère bien faire profiter ses clients. À commencer par ST-Ericsson, qui fera une démonstration d’un smartphone équipé d’un L8580 à 3 GHz lors du Mobile World Congress de Barcelone.
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