Sun et Samsung développent une mémoire Flash commune

Samsung s’est associé à Sun Microsystems pour développer une mémoire flash Nand de type SLC (single-level cell) qui sera utilisée dans les disques durs SSD. Les deux partenaires prétendent que leur nouvelle mémoire Nand SLC pour serveur offrira des cycles d’écriture/effacement cinq fois supérieurs à ceux des mémoires Flash SLC traditionnels.

Le système a vocation à être utilisé dans les disques SSD afin d’étendre le cycle de vie de n’importe quel serveur de traitement de données à haute fréquence de transactions.

Cette technologie est conçue pour être utilisée dans les environnements informatiques stratégiques fonctionnant 24 h/24, 7 j/7.

Parmi les applications similaires figurent la diffusion vidéo en streaming, le traitement de données à haute fréquence de transactions, les opérations de moteur de recherche et les autres fonctions de serveur haut débit.

A en croire Samsung, la mémoire SLC pour serveur garantira un nombre de transferts de données (entrées/sorties par seconde) par watt cent fois supérieur à celui des disques durs classiques.

De telles performances permettraient de réaliser des économies d’énergie importantes sur un marché où le coût élevé des factures énergétiques fait l’objet de toutes les attentions.

« Nous avons collaboré avec Sun afin de développer cette nouvelle mémoire Flash SLC 8 Go pour serveur qui offrira aux responsables informatiques le meilleur en termes de densité et d’endurance, le tout avec une consommation d’énergie nettement inférieure à ce qui se fait actuellement sur le marché », a déclaré Jim Elliott, directeur marketing chez Samsung Semiconductor.

« Gain d’endurance, baisse de la consommation d’énergie, telle sera la devise des acheteurs informatiques des entreprises du monde entier, et la mémoire Flash SLC pour serveur a tous les atouts pour répondre à cette équation. »

Selon le cabinet IDC, la demande mondiale de SSD d’entreprise devrait atteindre 2,24 millions d’unités d’ici 2012.