Le fondeur GlobalFoundry passe la technologie de gravure française FD-SOI en 12 nanomètres.
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Le fondeur GlobalFoundry passe la technologie de gravure française FD-SOI en 12 nanomètres.
Un accord de partenariat a été signé entre Soitec et Simgui. Il permettra la création de plaques de silicium de 200 mm en SOI, à destination du marché chinois et mondial.
STMicroelectronics et Samsung viennent d’annoncer un partenariat stratégique portant sur le process FD-SOI en 28 nm. Cette technologie ouvre la voie à des puces à faible consommation utilisées dans les vêtements et accessoires connect ...
Le groupe européen de semiconducteurs ST et la société américaine Rambus étendent leurs accords de licence et mettent un terme à leurs différends de propriété intellectuelle.
À raison, ST-Ericsson estime proposer des technologies de rupture sur ses SoC ARM. Reste que ces derniers manquent cruellement de sex-appeal.
Le groupe STmicro a profité de sa présence au MWC de Barcelone pour présenter une nouvelle stratégie, orientée sur les composants pour smartphones.
3 GHz. Telle est la fréquence de fonctionnement atteinte par le SoC ARM Novathor L8580 de ST-Ericsson. C’est l’un des bénéfices du 28 nm FD-SOI de STMicroelectronics.
Performances de haut vol et consommation électrique record sont au menu du dernier SoC NovaThor L8580 de ST-Ericsson. La preuve en vidéo.
Avec le 28 nm FD-SOI, ST-Ericsson propose une plate-forme ARM de haute volée, capable de combiner les bénéfices de la gravure low power et high performance. Une première.
La technologie silicium sur isolant FD-SOI de 28 nm du fabricant européen de semiconducteurs STMicroelectronics est prête pour la préproduction sur le site de Crolles.
STMicroelectronics joue la carte du concepteur-fondeur et des techniques de gravure avancées pour renforcer sa position sur le marché… y compris face à Intel.