Intel et Micron stoppent la co-entreprise IM Flash Technologies (IMFT), après 12 ans de collaboration autour des puces de mémoire flash à portes NAND,
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Intel et Micron stoppent la co-entreprise IM Flash Technologies (IMFT), après 12 ans de collaboration autour des puces de mémoire flash à portes NAND,
Après une visite chez Micron, racontant le pas de géant franchi par la technologie 3D NAND sur le flash, une visite chez Nexgen Storage puis chez Pure Storage illustrent clairement le poids croissant du SSD sur le secteur.
Intel, en collaboration avec Micron, a annoncé l’arrivée de SSD intégrant la technologie 3D NAND. La capacité pourra atteindre 10 To pour les PC et 1 To pour les mobiles.
Micron annonce les premiers échantillons de mémoire flash NAND MLC (Multi-level cell) de 128 Gb gravée en 16 nanomètres.
Samsung vient de débuter la production de masse de flash NAND MLC 3 bits de 128 Gbit dans sa technologie de classe 10 nm. La porte est ainsi ouverte à des dispositifs de stockage à flash NAND offrant une plus grande capacité.
Intel vient de dévoiler sa gamme de SSD Series 520. Ils succèdent aux modèles 510 Series et sont les premiers SSD Intel à intégrer un contrôleur LSI SandForce.
Intel et Micron annoncent la première puce de mémoire Flash à portes NAND d'une capacité de 128 gigabits en 20 nanomètres. Mais dans l'immédiat, les deux sociétés lancent la production de mémoire FLASH NAND de 64 gigabits également en ...
En pleine absorption par Western Digital, Hitachi GST ne se prive pas de lancer des mémoires disques ou SSD (solid-state drives) -série Ultrastar- en justifiant le choix de la techno MLC
La flash 20 nm signée IMFT devrait débarquer dans la seconde moitié de l’année. Elle permettra de créer des modules mémoire plus compacts et plus économes en énergie.
La technologie Triple-Level Cells augmente la densité de stockage des modules de mémoire Flash et la rentabilité de production.
Chez IMFT les composants flash 25 nm vont prochainement succéder aux modèles gravés en 34 nm. À la clé, une densité doublée, pour un prix de production – globalement – inchangé.
Un manager de Micron confirme l'avancée de leurs développements communs avec Intel dans les mémoires flash NAND à multi-niveaux, en technologie 34 nanomètres