La spécification DDR5 promet de la RAM plus dense et plus rapide, mais aussi moins énergivore. Débuts commerciaux attendus en 2021.
![DDR5 RAM](https://www.silicon.fr/wp-content/uploads/2020/07/DDR5-RAM-120x90.jpeg)
La spécification DDR5 promet de la RAM plus dense et plus rapide, mais aussi moins énergivore. Débuts commerciaux attendus en 2021.
Samsung annonce la première puce LPDDR5 au monde. Gravée dans la technologie classe 10 nm (nanomètres) du groupe, il s’agit d’un module de 8 Gb.
HPE a présenté la 10ème génération des serveurs ProLiant avec comme maître-mot la sécurité y compris au niveau du silicium.
La mémoire vive DDR5 et la mémoire non volatile NVDIMM-P seront standardisées en 2018 promet le JEDEC.
Samsung a lancé la production de masse des composants de mémoire vive en LPDDR4 qui ouvre la porte à des smartphones de 3 à 6 Go de RAM.
Profitant du CES 2014, Toshiba a dévoilé ses intentions pour la nouvelle génération de mémoire Flash interne, répondant à la norme UFS 2.0 (Universal Flash Storage 2.0). A la clef des débits de 1,2 Go/s.
Les choses s'accélèrent du côté de la DRAM puisque Samsung annonce le premier module LPDDR4 de 8 Gb. La voie est ouverte pour des puces de 4 Go dans les tablettes et smartphones.
Samsung annonce avoir débuté la production de masse de mémoire DDR4 à destination des serveurs d'entreprise.
Samsung annonce la mémoire de type eMMC la plus rapide du marché pour les appareils mobiles de prochaine génération.
Intel développerait actuellement une série de processeurs haut de gamme dans la famille Haswell nommée Haswell-E ayant la particularité de supporter la mémoire DDR4.
Le prix, la puissance et la performance énergétique de la mémoire DDR4 devraient lui ouvrir les portes de la mobilité, et surtout des serveurs.
Sur le papier, le concept a de quoi séduire. Mais il reste à savoir quand un standard pourrait réellement voir le jour...
Par un vote unanime, l'autorité de la concurrence américaine (FTC) a estimé que Rambus se trouvait dans une position dominante dans quatre technologies utilisées dans les mémoires DRAM (Dynamic Random Access Memory)