La flash 20 nm signée IMFT devrait débarquer dans la seconde moitié de l’année. Elle permettra de créer des modules mémoire plus compacts et plus économes en énergie.
![](https://www.silicon.fr/wp-content/uploads/logos/Flash.jpg)
La flash 20 nm signée IMFT devrait débarquer dans la seconde moitié de l’année. Elle permettra de créer des modules mémoire plus compacts et plus économes en énergie.
Chez IMFT les composants flash 25 nm vont prochainement succéder aux modèles gravés en 34 nm. À la clé, une densité doublée, pour un prix de production – globalement – inchangé.
Un manager de Micron confirme l'avancée de leurs développements communs avec Intel dans les mémoires flash NAND à multi-niveaux, en technologie 34 nanomètres
Et s'ouvrent les portes d'un immense marché...
IM Flash Technologies, la 'venture' entre Intel et Micron sur les mémoires flash, a investi dans Nanosys, une start-up de recherche sur les nanotechnologies
L'information est passée inaperçue, pourtant la 'joint venture' entre Intel et Micron pour la fabrication de mémoires 'flash' de type 'NAND' s'est accompagnée de l'acquisition par Intel de la technologie de Micron
La production de mémoires NAND sera principalement destinée à Apple. Samsung mis de côté ?