La mémoire Nano Flash-100 à accès très rapide a été développée par Toshiba sur la base de sa mémoire Nano Flash. Elle se destine aux microcontrôleurs embarqués dont la demande va croissante. Ces derniers nécessitent de plus grosses quantités de mémoires flash toujours plus rapides.
La Nano Flash-100 développée par le constructeur japonais répond parfaitement à ces impératifs. Elle se caractérise notamment par 0 cycle d’attente lors d’un accès aléatoire jusqu’à une fréquence de 100 MHz, ce qui correspond à ce qui se fait de mieux en la matière. Cela la rend parfaitement adaptée pour l’enregistrement de code informatique destiné à être exécuté directement depuis cette mémoire.
Pour ce faire, à l’instar de la Nano Flash, cette nouvelle mémoire combine également de la mémoire flash à portes NOR avec de la flash à portes NAND. Cette dernière se caractérise par sa rapidité d’écriture et d’effacement des données et offre une densité conséquente. Elle est adaptée à l’accès séquentiel tandis que l’interface d’adressage de la NOR convient à l’accès aléatoire rapide.
Toshiba assurera le suivi de son premier microcontrôleur 32 bits à architecture Cortex-M4 TMPM440F10XBG embarquant de la Nano Flash-100. Mais le constructeur japonais d’assurer qu’il poursuivra le développement de microcontrôleurs avec cœurs ARM embarquant ce type de mémoire.
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