Après des années de développements, Toshiba annonce avoir résolu la problématique de la mémoire STT-MRAM (spin-transfer torque – memorymagnetoresistive random access memory) en magnétisant le spin torque dans une direction perpendiculaire à la couche magnétique – le spin est la capacité à un moment cinétique d’un porteur de charge, comme un électron, de se placer par polarisation à angle droit avec le support de la donnée numérique 0 ou 1, et donc d’orienter son alignement.
Non volatile, la RAM magnétorésistive a la capacité de contrôler et donc de conserver la donnée lorsqu’elle est éteinte. Elle affiche une plus faible consommation pour un coût plus réduit. C’est pourquoi la R&D de nombreux acteurs des semiconducteurs s’y intéresse de près. Cependant, elle présente un très gros défaut : une forte sensibilité à la fuite de courant lorsqu’elle est alimentée, ce qui ne lui permet pas d’affronter la SRAM (static random-access memory) exploitée dans la mémoire cache.
Avec la magnétisation perpendiculaire de Toshiba appliquée sur la STT-RAM, les chercheurs du géant japonais de l’électronique ont réussi à éloigner le switch de la donnée du plan de magnétisation, ce qui apporte une solution à la problématique. Le modèle technologique ouvre donc la porte des usages de la SRAM. Une réduction de 90% de la consommation de la MRAM face à la SRAM pour un prix inférieur sera ainsi très appréciéz des smarphones et tablettes.
Il s’agit bien évidemment de recherche. Les usages de cette technologie, pour peu qu’elle soit retenue par les communautés scientifiques et industrielles, ne viendront pas à terme avant plusieurs années. Ce qui n’empêche pas les scientifiques d’imaginer des transistors moins gourmands et d’une taille plus réduite, donc avec des designs de mémoire qui vont évoluer dans des directions qui restent à inventer…
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