IBM et Micron veulent révolutionner le monde des terminaux mobiles

Des composants 3D. Intel n'est pas le seul à y penser. Micron compte en effet adopter ce procédé pour ses composants mémoire Hybrid Memory Cube (HMC). À la clé, une meilleure bande passante, les connexions entre les portes logiques étant plus nombreuses, et une dissipation thermique plus faible, la longueur des connexions internes se trouvant réduite.

Les premières puces de la firme proposent une bande passante de 128 Go/s, contre 12,8 Go/s pour les meilleurs composants actuels. La quantité d'électricité requise lors des transferts est pour sa part en baisse de près de 70 %. Enfin, la surface du composant est réduite par dix par rapport à un boitier de RAM classique. L'HMC semble donc avoir toutes les caractéristiques requises pour s'imposer dans le secteur des terminaux mobiles.

IBM sélectionné pour graver les composants HMC

Micron a fait confiance à IBM pour la production de ses composants HMC. Ces derniers seront gravés en utilisant la technologie 32 nm high-K de « Big Blue ». Une offre à la pointe du marché. Notez que d'autres sociétés devraient également proposer de l'HMC, le développement de cette technologie étant placé entre les mains d'un consortium.

« L'HMC est une rupture technologique majeure, qui offre aux industriels une solution de mémoire flexible, laquelle propose des progrès en terme de bande passante, tout en répondant aux problématiques de gestion d'énergie », explique Scott Graham, directeur général des solutions de DRAM chez Micron.