R&D : IBM et TDK s'associent sur la MRAM
Publié par La rédaction le - mis à jour à
Un programme de recherche commun pour accélérer l'arrivée des technologies de mémoire 'universelles' MRAM
C'est au TJ Watson Research Center d'IBM, à Yorktown, qu'IBM et TDK vont joindre leurs ressources de recherche et développement afin de créer des circuits MRAM haute densité et haute capacité, qui pourront être utilisés soit comme de la mémoire classique, soit embarqués dans d'autres composants.
La mémoire MRAM est non volatile, comme la mémoire Flash. En revanche, elle supporte ses cycles de lecture et écriture qualifiés d'illimités. De plus, sa consommation est inférieure à celle de produits concurrents.
Présentée comme le Graaldes fabricants de semi-conducteurs, la mémoire MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) a été portée à maturité par Freescale, premier à maitriser la production commerciale de cette technologie clé du futur, et présentée comme la mémoire universelle tant attendue.
Sur le marché saturé des mémoires, il y a cependant de la place pour une technologie qui offre de meilleures performances en consommant moins. A condition que le coût la rende accessible. C'est ce à quoi IBM et TDK vont s'atteler, pendant 4 ans de R&D commune?
| MRAM« C'est une mémoire non volatile, même sans tension d'alimentation. De type flash, elle est 'ready to go' avec une vitesse d'accès rapide.C'est une mémoire robuste qui n'est pas influencée par les effets des radiations. On peut donc l'utiliser dans tous les boîtiers ou par exemple dans l'avionique.C'est une mémoire à vitesse rapide et constante. Le chargement de contenu s'effectue à la même vitesse que l'écriture, ce qui la différencie nettement de la mémoire flash qui est très lente en effacement.Enfin, son endurance est sans limite, qualifiée d'infinie (unlimited). Basée sur une technologie magnétique, sa fiabilité est la plus élevée car il n'y a pas d'effet mécanique destructif et de dégradation intrinsèque.De plus, la facilité d'intégration de MRAM permet de placer la mémoire sur les dernières couches métalliques du composant, ce qui permet d'éviter les interférences avec l'électronique de base intégrée.« Extrait de notre interview d'Andreas Wild, le directeur R&D de Freescale Europe, dont le laboratoire a été le premier à produire cette mémoire du futur. |