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Toshiba se lance dans les 'puces' de 32 nanos/m
FinFET est le premier transistor en 32 nanomètres fabriqué par Toshiba
L'industrie des semi-conducteurs migre sa production vers les technologies en 90 nanomètres (nm): elle s'apprête à se lancer sur les 65 nm, et concentre sa R&D sur le 45nm. Mais le
Nikkei Business Daily vient de révèler le contenu d'une communication que Toshiba s'apprête à faire à la conférence International Electron Devices aux Etats-Unis. Toshiba aurait en effet pour la première fabriqué un transistor en 32 nanomètres, appelé FinFET: la longueur de son « pont » (lien entre le transistor et la plaque de silicium) ne serait que de 20 nanomètres (soit 20 millionièmes de mètre).
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