R&D : MRAM, successeur de la DRAM, a la mémoire longue

Elle s'appelle Magnetoresistive Random Attached Memory, ou MRAM, et elle serait le futur de la mémoire embarquée. Plus rapide et plus dense que la DRAM et la mémoire flash, elle affiche également une durée de vie statique (non-volatile) plus longue. Les grands acteurs des semi-conducteurs - IBM, Intel, Samsung et Toshiba - s'en sont emparés et cherchent à en développer les fonctionnalités avant d'entrer en phase de production industrielle.

Des chercheurs du Department of Electrical & Computer Engineering de la National University de Singapour, en collaboration avec ceux de la King Abdullah University of Science and Technology d'Arabie Saoudite, viennent de révéler qu'ils ont développé une nouvelle méthode pour stocker des données sur la MRAM. Celle-ci offrirait alors la capacité de conserver les données durant 20 ans.

Un avenir plus fin, plus long et plus efficace

La technologie retenue exploite des structures ferromagnétiques ultra fines, en dessous du nanomètre (nm), qui utilisent une magnétisation horizontale par un courant qualifié de 'in-plane'. Elle offre une alternative aux films actuels en structures multi-couches dont l'épaisseur est d'environ 20 nm et la durée de conservation de la donnée inférieure à une année.

Cette technologie, qui a fait l'objet d'un dépôt de brevet aux États-Unis, augmente l'espace de stockage et assurerait la conservation des données fraichement stockées en cas de défaillance dans la fourniture d'énergie. Cette approche est importante au moment où les utilisateurs entendent ne plus attendre lors de la fermeture de leur équipement. La nouvelle MRAM garantit que les données sont conservées.

De même, nombre de données doivent être téléchargées avant d'être utilisables, sur un smartphone par exemple. En conservant plus facilement la donnée fraiche, la nouvelle MRAM permettrait de réduire les cycles de téléchargement. De même que sa densité lui permet d'afficher une consommation énergétique plus réduite que DRAM et flash.

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