IBM densifie sa mémoire à changement de phase

Les têtes pensantes d'IBM travaillant au centre de recherche de Zurich viennent de lever le voile sur les évolutions de la technologie PCM de la firme. Cette mémoire à changement de phase (PCM, pour phase-change memory) se veut la panacée : aussi rapide et endurante que la DRAM, tout en étant non volatile et dense, comme la Flash.

Pour la première fois, des composants PCM à 3 bits par cellule ont pu être proposés, ce qui permettra de produire des puces plus denses et moins coûteuses que précédemment. Leur prix devrait ainsi se situer entre celui de la DRAM et celui des puces Flash NAND. IBM promet par ailleurs 10 millions de cycles en écriture pour chaque bit, contre quelques milliers de cycles pour la Flash NAND.

Utilisation : des bases de données aux smartphones

La firme envisage plusieurs utilisations pour cette technologie. Le stockage de bases de données, qui combinera alors la solidité des moteurs sur disque et les performances des solutions in memory. Mais aussi des accélérateurs pour la mémoire flash, avec des unités de stockage combinant des composants Flash Nand - très économiques - et de la PCM, utilisée en tant que mémoire cache non volatile.

Troisième possibilité évoquée : le stockage de l'OS mobile d'un smartphone, lui permettant ainsi de démarrer très rapidement. Plus que lorsqu'il est chargé depuis une unité de stockage classique. Chose d'autant plus vraie que la PCM pouvant servir de remplaçant à la DRAM, il sera possible d'utiliser une image système préinitialisée, qui fonctionnera directement depuis la PCM.

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