Intel et Micron révolutionnent le monde du stockage flash

Intel et Micron lèvent aujourd'hui le voile sur la technologie 3D XPoint. Une solution qui permet de créer des composants mémoire non volatiles, sans utilisation de transistors (mais via l'exploitation des changements d'état du matériau employé).

Intel affirme que les composants 3D Xpoint seront 1000 fois plus rapides que les puces flash NAND et proposeront une endurance 1000 fois supérieure. Bref, les solutions flash Nand sont battues assez largement dans tous les domaines. Dans la pratique, les gains seront toutefois moins importants. Sur des offres de stockage PCI Express NVMe, la firme table sur des gains de fois 10 en termes de vitesse.

L'empilement possible des couches de cellules de stockage permettra également de proposer une densité très intéressante. De premières offres 128 gigabits (16 Go) à deux couches sont ainsi annoncées. Dans l'attente de futurs composants encore plus denses. Des échantillons de composants 128 gigabits sont attendus pour cette année, les produits exploitant la mémoire 3D XPoint étant d'ores et déjà programmés pour 2016.

Pas un remplaçant de la DRAM

La mémoire 3D Xpoint ne saurait toutefois remplacer la mémoire vive de nos ordinateurs. Ainsi, aussi endurante soit-elle face aux puces flash, sa durée de vie reste limitée. Pas question donc de l'exploiter sans relâche.

De plus, si les composants mémoire 3D XPoint s'avèrent 8 à 10 fois plus denses que les puces DRAM, leur vitesse demeure inférieure. Intel et Micron ne sont pas très précis à ce sujet, mais un différentiel d'environ fois 10 est à attendre entre les deux technologies.

Reste une question : celle du coût de fabrication, et de vente, de cette technologie.

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