Les constructeurs poussent la mémoire flash "3D" pour accroître les capacités

La mémoire flash est incontournable dans l'électronique grand public et professionnelle. Mais, face aux limites technologiques, les constructeurs s'orientent vers des technologies d'empilement.

Les premières puces « 3D » ont d'ores et déjà été annoncées. Elles devraient permettre d'augmenter la densité et les capacités jusqu'à 8 To d'ici 2020.

La 3e dimension pour poursuivre la miniaturisation

L'empilage vertical de cellules présente plusieurs avantages. Les performances électriques sont améliorées (plus grande bande passante et consommation d'énergie réduite) puisque les longueurs des interconnexions entre les cellules sont réduites. La densité se traduit aussi par un rapport capacité/volume élevé.

Plusieurs constructeurs sont déjà sur les rangs et ont débuté les recherches en laboratoire depuis plusieurs années.

Flash 3D : SK Hynix dès 2013

Ainsi, SK Hynix a annoncé début janvier 2013 qu'il avait commencé la production de masse de mémoires flash 3D reposant sur la technologie VSAT (Vertical-stacked-array-transistor). « SK Hynix va envoyer des échantillons à nos clients comme nous avons testé avec succès la qualité des puces », a déclaré un responsable de haut rang de la société sud-coréenne.

Samsung, le numéro un mondial dans le secteur des mémoires flash, devrait produire de la mémoire flash 3D dans sa future usine située à Xi'an en Chine. Toshiba et IBM sont également à pied d'ouvre.

Il faudra aussi compter sur la société SanDisk qui a fait progresser sa propre technologie d'empilement pour la mémoire flash. Si la société américaine, par la voix de son PDG Sanjay Mehrotra, précise que sa mémoire pourrait se retrouver dans des produits d'ici 2020, il s'agira de modules à très haute capacité.

« Notre vision est que, dans la deuxième partie de cette décennie, nous disposerons de capacités de mémoire de 1 à 8 téraoctets sur une seule puce utilisant la technologie 3D. Bien sûr, il faudra plusieurs années avant de se rapprocher de cette vision, mais la technologie qui est en cours de développement dans notre laboratoire a montré un potentiel suffisant pour réaliser cela », a déclaré le patron de SanDisk.

« Lorsque Manhattan fut à court d'espace, des gratte-ciels ont été construits. Cette logique s'applique à la mémoire flash, » avait déclaré Eli Harari, le PDG de SanDisk en 2009. Il devient de plus en plus difficile de réduire la taille des cellules mémoire. La taille des transistors diminue avec les technologies plus fines, mais les interconnexions entre les cellules ne peuvent être réduites.

À l'instar d'Intel qui a développé des transistors « 3D » Tri-Gate dans ses technologies CMOS avancées, la troisième dimension se révèle être la voie royale pour poursuivre la miniaturisation.

Si les premières puces à flash 3D arriveront sur le marché en 2013, elles devraient être plus répandues en 2014 et apporter des très grandes capacités (jusqu'à 8 To) d'ici 2020.